Rəşad Rəhimov (fizik)
Bu məqalədəki məlumatların yoxlanılabilər olması üçün əlavə mənbələrə ehtiyac var. |
Bu məqaləni vikiləşdirmək lazımdır. |
Rəşad Rəhimov (tam adı: Rəşad Nizaməddin oğlu Rəhimov; 27 dekabr 1948) — fizika üzrə elmlər doktoru.
Rəşad Rəhimov | |
---|---|
Rəşad Nizaməddin oğlu Rəhimov | |
Doğum tarixi | |
Doğum yeri | Şəki, Azərbaycan SSR, SSRİ |
Vətəndaşlığı |
SSRİ→ Azərbaycan |
Milliyyəti | azərbaycanlı |
Elm sahələri | yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası |
Elmi dərəcəsi | fizika üzrə elmlər doktoru |
Elmi adı | dosent |
İş yerləri | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 |
Həyatı redaktə
Rəşad Rəhimov 1948-ci il dekabrın 27-də Şəki şəhərində doğulmuş, 1966-cı ildə Şəki şəhər 11 saylı orta məktəbi, 1973-cü ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin fizika fakultəsini bitirmişdir.
1983-cü ildə “İnSb-İn2GeTe bərk məhlullarda elektron və fonon prosesləri” mövzusunda namizədlik dissertasiyası, 2010-cu ildə “III-V qrup yarimkeçirici birləşmələr əsasinda bərk məhlullarda və evtektik kompozitlərdə elektron, fonon proseslərin xüsusiyyətləri” mövzusunda doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir. 2006-cı ildə Dosent adını almışdır.
Əsas elmi nailiyyətləri redaktə
1. InSb-In2GeTe bərk məhlulun zona quruluşunda kvazilokal səviyyələrin müəyyən edilməsi;
2. III-Y qrup elementləri əsasında üçqat və dördqat bərk məhlullarda fononların rezonans səpilməsinin müəyyən edilməsi;
3. III-Y qrup elementləri və 3d keçid metalları əsasında evtektik kompozitlərdə eksperimental olaraq metal qatmalar ətrafında fazalararası zonanın aşkar olunması;
4. kinetik parametrlərdə yaranan anizotropluqda fazalararası zonaların əhəmiyyətli rolunun göstərilməsi;
5. GaSb-FeGa1.3<Co> əsasında termostabil tenzomüqavimətlərin yaradılması;
6. 80-700K temperatur bölümündə bərk cisimlərin temperatur keçiriciliyini ölçmək üçün “işıq impulsu ilə qızdırma” metodu əsasında “Alfa” cihazının hazırlanması.
•Elmi məqalələrin sayı-140
•Beynəlxalq konfranslarda iştirakının sayı-50
•Xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı-26
•İxtiraların sayı-1
•Kadr hazırlığı- 2 fəlsəfə doktoru
•Qrant və layihələrdə iştirakı
1. NATO-nun əməkdaşlığa dəstək qrantı PST.CLGN 978434
2. AMEA Fizika İnstitutu və Belarus Fundamental Tədqiqatlar Fondu ilə birgə layihə, grant Т10Аz-15
3. Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Elmin İnkişafı Fondunun qrantı №EİF-2011-1(3)/82/05/1
Əsas elmi əsərləri redaktə
1. The GaSb-CoGa1.3 eutectic composite as a promising material for tensometry, Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol. 12, No1-2, 2013, 26-31.ç
2.InSb-FeSb kompozitin nazik təbəqəsinin alinmasi və strukturu Fizika, 2013, v15, section; Az, p68-70.
3.Structural features and electrical conductivity of the GaSb-FeGa1.3 and GaSb-CoGa1.3 eutectic composites Moldavian Journal of the Physical Sciences, 2012, Vol. 11, N3, 157-162.
4.Influence of Doping on the Microstructure and Kinetic Parameters of GaSb–FeGa1.3 Eutectics. Crystallography Reports, 2012, Vol. 57, No. 7, pp. 923–926.
5.Cu5SmSe4 birləşməsində kinetik xassələrin xüsusiyyəti, AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2011, 31, nö5, 78-81.
6.Рентгено-дифрактометрические исследования и топография поверхности эвтектического композита GaSb-FeGa1.3, Cборник докладов Международной научной конференции “Актуальные проблемы физики твердого тела” 2011 г., Минск, Том 1195-197.
7.Тензодатчики в медицине AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2010, 30, nö2, 130-132.
8. Анализ решеточный теплопроводности твердых растворов Ga1-хInхAs. // Fizika, 2009, 15, 2, 35-37.
9.Yarimkeçirici-metal tipli kompozitlərin elektron və fonon proseslərində fazalararası zonaların rolu. // AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2009, 29, nö5, s.20-32 .
10. Thermostable tensoresistors of Co doped GaSb- FeGa1.3 eutectic composites. Sensors and Actuators A: Physical Volume 147, Issue 2, 3 October 2008, Pages 436-440.
11. InSb-MnSb və GaSb-FeGa1.3 evtektik kompozitlərin elektrik keçiriciliyində fazalar arası zonaların təsiri. Fizika, 2007, 13, nö4, s.8-11.
12. Thermal properties of eutectic compositions based on InSb and GaSb. AMEA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 2007, Nö2, s.72-80. 13. Phonon scattering in (InSb)2(1-x)(In2GeTe)x solid solution. Ukr.J.Phys. 2005, v50, no 6, p598-601.
14.Thermal conductivity of In1-хGaxAs solid solution. Fizika 2005, 11, No 1-2, p38-41.
15.Thermal radiation detectors on the basis of the InSb-FeSb eutectics. Proceeding of SPIE, 2004, v.5834, p.110-116.
16.Strain gauges of GaSb-FeGa1.3 eutectic composites. Appl.Phys.:A, 2004, 79, No 8, p2075-2079.
17.The optical study of InSb-In2GeTe solid solutions. Ukr.J.Phys. 2004, v.49. no2, p118-120.
18.Электрические и тепловые свойства эвтектики GaSb-FeGa. Изв. РАН сер. Неорганические Материалы, 2004, №4, c. 395-399.
19.Features of electron and phonon processes in GaSb-FeGa. J.Phys.D: Applied Phys., 2003, 36, p.2627-2633.
20.Особенности рассеяния фононов в твердом растворе GaSb-Ga2Te3. Изв.РАН, сер. Неорганические Материалы 1997, т93, №5, с.539-540.
21.Теплопроводность твердого раствора In1-хGaxAs. Изв.РАН, сер. Неорганические Материалы 1990, т.26, 1548-1550.
22.Особенности рассеяния фононов в твердом растворе GaxIn1-хAs. ФТП, 1990, т24, №2 с.365-367.
23.Рассеяние фононов в эвтектике GaSb-FeGa. ФТТ, 1989,т.31, №12, с168-17.
İstinadlar redaktə
http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/903