Elektrikkeçiricilik

Quruluş defektləri ilə yaranan maksimumları yarığın daxilində meydana çıxır və "quyruqlar" kimi biri o birinin üstünü örtür. Buna uyğun olaraq, müxtəlif temperatur intervallarında üstünlük təşkil edən üç keçiricilik mexanizmi seçilir:

a) delokallaşmış hallarda yürüklüyün həyəcanlanma kənarları arxasına yük daşıyıcılarının köçürülməsi.

b) Yürüklük kənarlarının yaxınlığında həyəcanlanmış lokalizasiya hallarına yük daşıyıcılarının sıçrayışlı daşınması.

c) Lokallaşmış hallarda $\varepsilon$_F yaxınlığında T-nin azalması zamanı artan məsafədə yükdaşıyıcılarının sıçrayışlı köçürülməsi

Yük daşıyıcılarının sıçrayışlı daşınması termohərəkət edici qüvvə (T.h.q.) və Holl effektinin əks işarəliyində, dəyişən cərəyan keçiriciliyinin temperaturdan zəif asılılığında, tezlikdən asılılığda özünü göstərir.

Yük daşıyıcıların yürüklüyü (10⁻⁵−10⁻⁸ sm² В⁻¹s⁻¹) kiçikdir və elektrik sahəsinin gərginliyindən və nümunənin qalınlığından asılıdır ki, bu da ya müəyyən qanunla paylanmış lokallaşmış hallarda, ya da sıçrayışlı ötürülmədə daşıyıcıların çoxsaylı tutulması ilə əlaqələndirilir.

Əksər HŞY üçün $\sigma$ -nın qiyməti və aktivasiya enerjisi praktiki olaraq aşqarın təbiəti və konsentrasiyasından asılı olmur (aşqar atomları özlərinin bütün valent elektronlarını əsas atomlarla kovalent əlaqə yaratmağa verərək maksimum valentlik göstərirlər). Lakin keçid metallarla (Ni, Мо, W, Fe) aşqarlama aşqar keçiriciliyini yaradır. Fərz olunur ki, onu kovalent əlaqənin yaranmasında iştirak etməyən d-elektronları yaradır. ETAY, xüsusən amorf Si, P və B atomları ilə effektiv leqirə oluna bilir.

Əksər HŞY üçün aşırıcı effekt-güclü elektrik sahəsinin $\geq$10⁵Vxsm⁻¹ təsiri altında yüksəkomlu haldan aşağıomlu hala tez (~ 10⁻¹⁰ s) dönən keçid xarakterdir. Bu, elektron və deşiklərin kontaktdan injeksiyası, tutulmuş yük daşıyıcıların delokallaşması ilə, həm də cərəyan qaytanında temperaturun yüksəlməsi ilə izah olunur (bax. Cərəyanın qaytanlanması). Bir sıra HŞY-lərdə nümunənin aşağıomlu halı uzun müddət qalır, lakin yüksəkomlu hala qayıtmaq üçün nümunədən cərəyanın qısa müddətli impulsunu buraxmaq lazım olur. Bu yaddaş effekti cərəyan qaytanı baş verən yerdə HŞY-nin qismən kristallaşması ilə əlaqədardır.

Əksər A. və ş.y.-də, xüsusilə HŞY-də qadağan olunmuş zonada elektron halları kiçik radiuslu polyaronlardan ibarətdir. Belə halların elektronlarla dolması qəfəsin qonşu atomlarının yersürüşməsi ilə müşayiət olunur ki, bu da $\varepsilon$_g-nin işığın zonalararası udulmasının və keçiriciliyin aktivasiya enerjisinin ölçülərindən alınmış qiymətlərdəki fərqi yaradır.

HŞY-də bir sıra spesifik hadisələr müşahidə olunur, məs., həyəcanlanma prosesində lyuminessensiyanın azalması fotoinduksiyalanmış elektron paramaqnit rezonansı (EPR) və fotoinduksiyalanmış işıq udulması ilə korrelyasiya edir. Bu xüsusiyyətlər, aşağı temperaturlu işıqlanmada neytral və paramaqnit olan yüklənmiş defektlərin mövcudluğu ilə izah olunur.

İstinadlar

• Шкловский Б. И.,Эфрос А. Л. "Электронные свойства легированных полупроводников", М.1979;

• "Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы", Киш. 1981;

• "Электронная теория неупорядоченных полупроводников", М. 1981;