Qallium arsenid (ing. gallium arsenide (GaAs)) — mikroelektronikada yüksək sürətli mikrosxemlərin hazırlanmasında istifadə olunan kimyəvi birləşmə. Qallium arsenid əsasında hazırlanmış mikrosxemlər onların silisiumdan olan analoqlarından sürətli işləyir, temperatur dəyişikliklərinə daha dözümlüdür, daha az enerji istifadə edir və radiasiyaya daha dayanıqlıdır. Superkompüterlərdə və hərbi məqsədlər üçün istifadə olunan kompüterlərdə də bu texnologiya əsas götürülüb.
| Qallium arsenid | |
|---|---|
 | |
 | |
| Ümumi | |
| Kimyəvi formulu | GaAs[1] |
| Molyar kütlə | 0 kq[1] |
| Termik xüsusiyyətlər | |
| Ərimə nöqtəsi | 1.240 °C |
| Təsnifatı | |
| CAS-da qeyd. nöm. | 1303-00-0 |
| PubChem | 14770, 25032019 |
| RTECS | LW8800000 |
| BMT nömrəsi | 1557 |
| ChemSpider | 14087, 22199223 |
Ədəbiyyat
redaktə- İsmayıl Calallı (Sadıqov), “İnformatika terminlərinin izahlı lüğəti”, 2017, “Bakı” nəşriyyatı, 996 s.
Kimya haqqında olan bu məqalə bu məqalə qaralama halındadır. Məqaləni redaktə edərək Vikipediyanı zənginləşdirin. |
- ↑ 1 2 GALLIUM ARSENIDE (ing.).