Amorf yarımkeçiricilər: Redaktələr arasındakı fərq
Silinən məzmun Əlavə edilmiş məzmun
Redaktənin izahı yoxdur |
Redaktənin izahı yoxdur |
||
Sətir 1:
'''Amorf yarımkeçiricilər (A.y)'''-amorf maddə olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.y.-kovalent A.y.-ə (Ge və Si, GaAs və s. amorf halında), halkogenid şüşələrə (məs., As<sub>31</sub> Ge<sub>30</sub> Se<sub>21</sub> Те<sub>18</sub>), oksid şüşələrinə (məs., В<sub>2</sub>О<sub>5</sub>-P<sub>2</sub>О<sub>5</sub>) və dielektrik nazik təbəqələrə (SiO<sub>х</sub>, AL<sub>2</sub>О<sub>3</sub>, Si<sub>3</sub> Н<sub>4</sub> və s.) ayrılır. A.y.-nə yüksək leqirlənmiş kompensə edilmiş yarımkeçirici kimi də baxmaq olar ki, onun keçiricilik zonasının “dibi” və valent zonasının “tavanı” enib-qalxır, lakin bu dəyişmə (fluktuasiya) qadağan olunmuş zonanın eni <math>\varepsilon</math> <sub>D</sub> tərtibindədir.
Keçiricilik zonasındakı elektronlar və valent zonasındakı deşiklər hündür çəpərlərlə ayrılmış potensial relyefin çuxurlarında yerləşən “damcılara” ayrılır. Aşağı temperaturlarda elektrik keçiriciliyi sıçrayışlı xarakter daşıyır. Daha yüksək temperaturlarda A.y.-in elektrik keçiriciliyi elektronların delokallaşmış hal oblastına istiliklə ötürülməsi ilə əlaqədardır. A.y. bir sıra nadir xassələrə malikdirlər ki, bu da onların müxtəlif praktiki tətbiqi üçün imkanlar yaradır. Halkogenid şüşələr spektrin İQ oblastındakı şəffaflığına, yüksək müqavimətinə və fotohəssaslığına görə ötürücü televiziya borularının elektrofotoqrafik lövhələrinin hazırlanması üçün və holoqram yazılarında tətbiq olunur. A.y.-də işə düşmə zamanı <math>\leq</math>10-10-10-12 с olan elementlərin yaradılmasına imkan verən yüksək omlu haldan aşağı omlu hala və əksinə keçmə aşırıcı effekt mövcuddur.
| |||