Amorf yarımkeçiricilər: Redaktələr arasındakı fərq
Silinən məzmun Əlavə edilmiş məzmun
Redaktənin izahı yoxdur |
Redaktənin izahı yoxdur |
||
Sətir 6:
Amorf və şüşəvari maddələr olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.və ş.y. yaxın nizamlılığın mövcudluğu və uzaq nizamlılığın yoxluğu ilə xarakterizə olunurlar. A. və ş.y. tərkibə və quruluşa görə halkogenidlərə, oksidlərə, üzvülərə, tetraedriklərə ayrılırlar. Ən yaxşı öyrənilib halkogenid şüşəvarilər (HŞY) və elementar tetraedriklər (ETAY). HŞY-i əsasən, ya ərintini soyutmaqla, ya da vakuumda buxarlanma ilə alırlar. Buraya Se və Те, həmçinin müxtəlif metal (məs., As-S-Sе, Аs-Gе-Sе-Те, Аs-Sb-S-Sе, Gе-S-Sе, Gе-Pb-S) halkogenidlərinin (sulfidlər, selenidlər, telluridlər) iki və çox komponentli ərintiləri aiddir. ETAY (amorf Gе və Si)-ni müxtəlif hidrogentərkibli atmosferlərdə ion tozlandırılmasıyla və ya onların qazlarının dissosiasiyasından (xüsusilə, Si H<sub>4</sub> və ya GeH<sub>4</sub>) ''yüksəktezlikli boşalmalarda'' alırlar.
A. və ş.y.-in xüsusiyyətləri elektronların energetik spektrlərinin xüsusiyyətlərilə əlaqədardır. Elektron hallarının yuxarı və aşağı sıxlıqlı energetik oblastlarının mövcudluğu-yaxın nizamlılığın nəticəsidir. Ona görə də qeyri-kristallik maddələrin zona quruluşu haqqında şərti danışmaq olar. Lakin quruluşun nizamsızlığı əlavə icazəli elektron hallarının yaranmasına gətirib çıxarır ki, onların sıxlığı <math>g (\varepsilon)</math> hal sıxlığı “quyruqları” yaradaraq qadağan olunmuş zonanın dərinliyinə düşür. “Quyruqlarda” elektron halları lokallaşmış və delokallaşmış (cərəyan keçirici) hallara bölünür. Bu hallar arasında kəsgin sərhəd ''yürüklük kənarları'', onlar arasındakı məsafə isə yürüklüyə görə <math>\varepsilon</math><sup>M</sup> <sub>g</sub> qadağan olunmuş zona (və ya yarıq) adlanır.
| |||