Elektrikkeçiricilik: Redaktələr arasındakı fərq
Silinən məzmun Əlavə edilmiş məzmun
Redaktənin izahı yoxdur |
Redaktənin izahı yoxdur |
||
Sətir 14:
Əksər HŞY üçün aşırıcı effekt-güclü elektrik sahəsinin <math>\geq</math>10<sup>5</sup>Vxsm<sup>-1</sup> təsiri altında yüksəkomlu haldan aşağıomlu hala tez (~ 10<sup>-10</sup> s) dönən keçid xarakterdir. Bu, elektron və deşiklərin kontaktdan injeksiyası, tutulmuş yük daşıyıcıların delokallaşması ilə, həm də cərəyan qaytanında temperaturun yüksəlməsi ilə izah olunur (bax. Cərəyanın qaytanlanması). Bir sıra HŞY-lərdə nümunənin aşağıomlu halı uzun müddət qalır, lakin yüksəkomlu hala qayıtmaq üçün nümunədən cərəyanın qısa müddətli impulsunu buraxmaq lazım olur. Bu yaddaş effekti cərəyan qaytanı baş verən yerdə HŞY-nin qismən kristallaşması ilə əlaqədardır.
Əksər A. və ş.y.-də, xüsusilə HŞY-də qadağan olunmuş zonada elektron halları kiçik radiuslu polyaronlardan ibarətdir. Belə halların elektronlarla dolması qəfəsin qonşu atomlarının yersürüşməsi ilə müşayiət olunur ki, bu da <math>\varepsilon</math><sub>g</sub>-nin işığın zonalararası udulmasının və keçiriciliyin aktivasiya enerjisinin ölçülərindən alınmış qiymətlərdəki fərqi yaradır.
HŞY-də bir sıra spesifik hadisələr müşahidə olunur, məs., həyəcanlanma prosesində lyuminessensiyanın azalması fotoinduksiyalanmış elektron paramaqnit rezonansı (EPR) və fotoinduksiyalanmış işıq udulması ilə korrelyasiya edir. Bu xüsusiyyətlər, aşağı temperaturlu işıqlanmada neytral və paramaqnit olan yüklənmiş defektlərin mövcudluğu ilə izah olunur.
== İstinadlar ==
* Шкловский Б. И.,Эфрос А. Л. "Электронные свойства легированных полупроводников", М.1979;
* "Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы", Киш. 1981;
* "Электронная теория неупорядоченных полупроводников", М. 1981;
| |||