Nanotexnologiya: Redaktələr arasındakı fərq

Nanolayer-əsas metal-yarımkeçirici keçid (M–S qovşağı) tranzistoru ilkin olaraq 1960-cı ildə A. Rose, 1962-ci ildə L. Geppert, Mohamed Atalla və Dawon Kahng tərəfindən təklif edilmiş və nümayiş etdirilmişdir.<ref>{{cite book |last1=Pasa |first1=André Avelino |chapter=Chapter 13: Metal Nanolayer-Base Transistor |title=Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics |date=2010 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9781420075519 |pages=13-1, 13-4 |chapter-url=https://books.google.com/books?id=a3kJAMALo0MC&pg=SA13-PA1 |access-date=2022-04-29 |archive-date=2020-03-08 |archive-url=https://web.archive.org/web/20200308030547/https://books.google.com/books?id=a3kJAMALo0MC&pg=SA13-PA1 |url-status=live }}</ref> Onilliklər sonra, çoxqapılı texnologiyada irəliləyişlər FinFET (fin sahə effektli tranzistor) ilə başlayaraq metal-oksid-yarımkeçirici sahə effektli tranzistor (MOSFET) cihazlarını 20 nm qapı uzunluğundan kiçik nano-miqyaslı səviyyələrə endirməyə imkan verdi. , üçölçülü, planar olmayan, ikiqat qapılı MOSFET. UC Berkeley-də Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor və başqaları daxil olmaqla tədqiqatçılar qrupu 1998-ci ildə 17 nm, daha sonra 2001-ci ildə 15 nm və 2002-ci ildə 10 nm prosesinə qədər FinFET cihazlarını hazırladı.<ref name="Liu">{{cite web |last1=Tsu‐Jae King |first1=Liu |author-link1=Tsu-Jae King Liu |title=FinFET: History, Fundamentals and Future |url=https://people.eecs.berkeley.edu/~tking/presentations/KingLiu_2012VLSI-Tshortcourse |website=[[University of California, Berkeley]] |publisher=Symposium on VLSI Technology Short Course |date=June 11, 2012 |access-date=9 July 2019 |archive-date=28 May 2016 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160528220227/http://people.eecs.berkeley.edu/~tking/presentations/KingLiu_2012VLSI-Tshortcourse |url-status=live }}</ref>Salam

2006-cı ildə Koreya Qabaqcıl Elm və Texnologiya İnstitutundan (KAIST) və Milli Nano Fab Mərkəzindən koreyalı tədqiqatçılar qrupu dünyanın ən kiçik nanoelektronik cihazı olan 3 nm MOSFET-i inkişaf etdirdilər. O, gate-all-around (GAA) FinFET texnologiyasına əsaslanırdı.<ref>{{citation |url=http://www.highbeam.com/doc/1G1-145838158.html|archive-url=https://web.archive.org/web/20121106011401/http://www.highbeam.com/doc/1G1-145838158.html|url-status=dead|archive-date=6 November 2012|title=Still Room at the Bottom (nanometer transistor developed by Yang-kyu Choi from the Korea Advanced Institute of Science and Technology)|date=1 April 2006|work = Nanoparticle News }}</ref><ref>{{citation |first=Hyunjin |last=Lee |year=2006 |title=Sub-5nm All-Around Gate FinFET for Ultimate Scaling |journal=Symposium on VLSI Technology, 2006 |pages=58–59 |doi=10.1109/VLSIT.2006.1705215 |display-authors=etal|isbn=978-1-4244-0005-8 |hdl=10203/698 |s2cid=26482358 |hdl-access=free }}</ref>Nanotexnologiya öyrənirik