Zöhrab Vəliyev
Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev — ABŞ-nin Nyu-York Elmlər Akademiyasının həqiqi üzvü, AMEA-nın müxbir üzvü, professor.[1][2]
| Zöhrab Vəliyev | |
|---|---|
| Zöhrab Əhməd oğlu Vəliyev | |
 | |
| Doğum tarixi | |
| Doğum yeri | Naxçıvan, Naxçıvan MSSR, Azərbaycan SSR, SSRİ |
| Vəfat tarixi | |
| Vətəndaşlığı |
 SSRİ Azərbaycan |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Elmi dərəcəsi | fizika-riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | professor |
| Təhsili | M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universiteti |
| Mükafatları |
 |
 Vikianbarda əlaqəli mediafayllar | |
Həyatı
redaktəZöhrab Əhməd oğlu Vəliyev 1953-cü il iyunun 4-də Naxçıvan şəhərində anadan olmuşdur. O, ali təhsilini M.V.Lomonosov adına Moskva Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində almışdır 1977-ci ildən Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Fizika İnstitutunda, 1986-cı ildən ömrünün sonunadək isə Naxçıvan Dövlət Universitetində fəaliyyət göstərmiş, universitetin Elmi Şurasının elmi katibi, Texniki təlim fakültəsində dekan müavini və Fizika-riyaziyyat fakültəsində dekan vəzifələrini daşımışdır. Z.Vəliyev 1997-ci ildən etibarən Naxçıvan Dövlət Universitetinin Elmi işlər üzrə prorektoru olmuşdur. 2003-cü ildə AMEA-nın müxbir üzvü seçilmişdir. AMEA-nın müxbir üzvü Zöhrab Vəliyev 2003-cü ildə vəfat etmişdir.
- Elmi əsərlərinin sayı-93
- Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-24
- Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı-17
- Kadr hazırlığı-1 fəlsəfə doktoru
Elmi fəaliyyəti
redaktəZ.Vəliyevin əsas elmi tədqiqatları xarici elektrik, klassik və kvantlayıcı maqnit sahələrində qıraq yüklü dislokasiyalı yarımkeçiricilərin elektrik, fotoelektrik və optik xassələrinin ardıcıl nəzəriyyəsinin qurulması; elektron və deşik keçiriciliyinə malik yarımkeçirici kristallarda hərəkət edən yüklü dislokasiya- Iarm modelinin verilməsi və onun əsasında deformasiya lüminesensiya hadisəsinin, elektronların dinamik həyəcanlaşma effektinin, dislokasiya xarakterli sövq cərəyanlarının araşdırılması; parçalanmış dislokasiyalar sisteminin tədqiqi və alınan nəticələr arasında yarımkeçirici birləşmələrdə dislokasiyaların tipinin təyini üçün yeni rezonans üsulunun verilməsi; qıraq dislokasiyalarda elektronların Viqner kristallaşmasının tədqiqi və bu kristallaşmanı müşahidə etmək üçün yeni rezonans üsulunun təklifi; qıraq dislokasiyalı yarımkeçiricilərdə rekombinasiya dalğalarının yayılmasının tədqiqi; yarımkeçirici kristallarda istiqamətlənmiş qıraq yüklü dislokasiyalar sisteminin əmələ gətirdiyi yəhərvari nöqtəyə malik potensial çəpərin elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi, bu tip kristallarda Volt-amper və Volt-farad xarakteristikalarının təyini və cərəyanın keçmə məsələsinin nəzəriyyəsinin verilməsi; həm akustik fononlardan elastik səpilmə zamanı, həm də optik fononlardan qeyri-elastik səpilmə zamanı elektron keçiriciliyinə malik qıraq yüklü dislokasiyaları yarımkeçirici kristallarda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların xarici sahə olmadıqda, xarici elektrik sahəsində, xarici klassik və kvantlayıcı maqnit sahələrində, xarici elektromaqnit sahəsində və eyni zamanda, onların müxtəlif kombinasiyalarında rekombinasiya hadisəsinin nəzəriyyəsinin işlənilməsidir.
Əsas elmi əsərləri
redaktə- Cascade capture of electrons by dislocations in many-valley semiconductors // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.12, p. 1291-1292
- The electron density of semiconductors with charged dislocations placed in external fields // SEMICONDUCTORS, 1999, v.33, n.11, p. 1175-1177
- Термическая ионизация дырок из дислокационного центра в электрическом поле // ФТП, 1990, т.24, в.3, стр. 347-348
- Коэффициент захвата дырок на плотных дислокационных рядах в полупроводниках при наличии квантующего магнитного поля // ФТП, 1989, т.23, в.8, стр. 947-948