Bəxtiyar Nəcəfov

Bəxtiyar Nəcəfov
Bəxtiyar Nəcəfov
Doğum tarixi	6 iyun 1960 (64 yaş)
Doğum yeri	Ağdü, Sisian rayonu, Ermənistan SSR, SSRİ;

Nəcəfov Bəxtiyar Ağaqulu oğlu 6 iyun 1960-cı ildə Qərbi Azərbaycanın (indiki Ermənistan Respublikası) Sisian rayonu Ağudi kəndində müəllim ailəsində anadan olmuşdur. 1977-ci ildə orta məktəbi, 1982-ci ildə isə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsini "Atom və molekulların kvant mexanikası" ixtisası üzrə bitirmişdir. Əmək fəaliyyətinə 1982–1984-cü illərdə təyinatı üzrə Dağlıq Qarabağ Muxtar Vilayətində başlamışdır. 1984-cü ildə Azərbaycan SSR Elmlər Akademiyasının (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası) Radiasiya Tədqiqatlar Bölməsinin (indiki Radiasiya Problemləri İnstitutu) əyani aspiranturasına daxil olmuşdur. 1992-ci ildə "Hidrogenləşmiş nazik təbəqəli silisium birləşmələrində elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri" mövzusunda namizədlik və həmin mövzunu davam etdirərək 2013-cü ildə doktorluq dissertasiyasını müdafiə etmişdir. Hazırda AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunda "Yarımkeçiricilərin Radiasiya fizikası" laboratoriyasında aparıcı elmi işçi vəzifəsində çalışır. Fizika elmlər doktoru, professordur.

Elmi fəaliyyəti

Bəxtiyar Nəcəfovun elmi fəaliyyətinə nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin alınması (maqnetron çökmə, plazma-kimyəvi metodlarla) və aşqarlanması, nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin (elektrik, termoelektrik, fotoelektrik, fotolyuminessensiya) müxtəlif xassələrinin tədqiq edilməsi, nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin əsasında elektron cihazlarının hazırlanması və nazik təbəqəli silisium birləşmələrində hidrogenləşmə prosesinin (yəni təbəqə daxilində effuziya və diffuziya) öyrənilməsi daxildir.

Elmi nailiyyətləri

1. Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.

2. Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.

3. Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.

4. Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir.

Bəxtiyar Nəcəfov, eyni zamanda, nazik təbəqəli silisium birləşmələrində aşağı temperaturlarda (T=150) sıçrama mexanizmini, sıçrama enerjisini, sıçrama məsafəsini, lokallaşmış halda dalğa funksiyası, qaranlıqda elektron və deşiklərin yürüklüyü, hal sıxlığının müəyyən edilməsi, eyni zamanda hidrogen atomunun təbəqə daxilində konsentrasiyasını müəyyən etmək üçün düstur vermişdir.

$Ns=xN(\varepsilon k)kT(x\approx 3;T\leq 80K)$

$Js,w=\int (\alpha /\omega )d\omega ;N{}_{H}=A\int (\alpha /\omega )d\omega$

$\omega _{s},w$

O, nazik təbəqəli (amorf, polikristallar, mikrokristallar, nanokristallarda) silisium birləşmələrində işığın əksolunma, sınma və təbəqədən keçmə əmsalı əsasında udulma üçün yeni bir formula da almışdır:

Alim nazik təbəqəli silisium birləşmələri əsasında elektron cihazlarının, yəni çox qatlı günəş elementləri və ionlaşdırıcı şüaların dozasının(radiasiya) qeyd edilməsi üçün detektorların nəzəri modelini hazırlamışdır.

Mükafatlar

B. Nəcəfov 2014-cü ildə Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının müxbir üzvü, 2016-cı ildə isə akademiki seçilmişdir. Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Rusiyanın Qızıl kafedrası" — diplomu və döş nişanı — "Золотая кафедра России", Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Labore et scientia"- "Bilik və əməyə" görə ordeni, Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "PRİMUS İNTER PARES"- "Bərabər olanların arasında birinci" ordeni, Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Təhsil və əməkdar elm xadimi"- "Заслуженный деятель науки и образования", Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının 20 illik yubileyi münasibətilə rus elminin inkişafında qazandığı nailiyyətlərə və etdiyi kəşflərə görə, həmçinin onun inkişaf etdirilməsində əməyinə görə rus alimi "В.И. Вернадского" medalı ilə təltif edilmişdir.

B. Nəcəfov "İctimai –Siyasi, Beynəlxalq Hüquq Qəzeti" tərəfindən "Fədakar elm adamı" diplomu və Müstəqil Milli Mükafatla təltif olunmuşdur.

Nəşrlər

B. Nəcəfov 50-yə yaxın beynəlxalq elmi konfransların iştirakçısı olub.120 elmi əsərin və 2 monoqrafiyanın (Almaniyada dərc edilmiş) müəllifidir. 80 elmi məqaləsi beynəlxalq jurnallarda dərc olunub. Alimin, beynəlxalq elmi bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda 60 elmi məqaləsi çap olunub.

B. Nəcəfovun beynəlxalq elmi konfranslarda və jurnallarda dərc olunan 12 məqaləsi sertifikata layiq görülmüşdür.

Elmi əsərləri

1. Najafov B. A, Bakirov M. Y, Mamedov V. S. and Andreev A. A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119–127.

2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Sio,10:Hx. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383–1385.

3. Najafov B. A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Sio,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, № 10, c. 1221–1224.

4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Sio,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107–114.

5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139–144

6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hx. // Прикладная физика, 2005, с.97–102.

7. Najafov B. A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477–482.

8. Najafov B. A. and Isakov G. I. Electrical properties of amorphous Sio,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, № 7, vol. 41, p. 787–791.

9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371–376.

10. Najafov B. A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36–38.

11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGex:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51–55.

12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14–23.

13. Najafov B. A. and Isakov G. I. Properties of amorphous Sii-xGex:H (x=0–1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713–718.

14. Najafov В.А., Fiqarov V. R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361–4367.

15. Najafov B. A. and Isakov G. I. Optical and Electrical Properties of amorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624–630.